Welche Polierverfahren gibt es für Siliziumkarbid-Wafer?

Der Polierprozess von Siliziumkarbid-Wafern (SiC) umfasst typischerweise die folgenden Schritte:
1. Oberflächenreinigung: Zunächst wird die Oberfläche des Siliziumkarbid-Wafers gereinigt, um oberflächliche Verunreinigungen und Unreinheiten zu entfernen. Dies kann durch Lösemittelreinigung, Ultraschallreinigung oder andere geeignete Methoden erfolgen.
2. Grobschliff: Legen Sie den Wafer in eine spezielle Schleifmaschine, geben Sie Schleifkörner (z. B. Aluminiumoxid) und Schleifflüssigkeit (z. B. Polymethylmethacrylat) auf die rotierende Scheibe und schleifen und schleifen Sie durch das Zusammenspiel von Rotation und Bewegung. Flache Oberfläche.
3. Mittleres Schleifen: Nach dem Grobschleifen wird der Wafer einem mittleren Schleifen unterzogen, um die Oberflächenrauheit weiter zu verringern und die Ebenheit zu verbessern. Bei diesem Schritt werden normalerweise kleinere Schleifkörner und Aufschlämmung verwendet.
4. Feinschleifen: Durch Feinschleifen wird eine feinere Oberflächenbeschaffenheit erreicht. Verwenden Sie kleinere Schleifkörner und Schleifflüssigkeit, um den Wafer fein zu schleifen. Dieser Schritt hilft, mikroskopische Schönheitsfehler und Unvollkommenheiten auf der Oberfläche zu beseitigen.
5. Polieren: Im letzten Schritt wird der Wafer mit einer Poliermaschine poliert, um die beim Feinschleifen entstandenen Spuren zu beseitigen und die Oberflächenqualität weiter zu verbessern. Zum Polieren wird normalerweise eine Polierflüssigkeit (z. B. Kieselsol) und ein Poliertuch oder Polierpad verwendet.
Oben ist der allgemeine Prozessablauf beim Polieren von Siliziumkarbid-Wafern dargestellt. Die spezifischen Parameter und Methoden können je nach tatsächlicher Anwendung und Anforderungen variieren. Im tatsächlichen Betrieb muss es basierend auf Faktoren wie Wafergröße, Anforderungen und Gerätefunktionen angepasst und optimiert werden.