SiC-Substrat
Siliziumkarbid-Substrate (SiC) bestehen aus einem sehr reinen Material, das Silizium und Kohlenstoff kombiniert. Der Produktionsprozess beginnt mit einer Hochtemperaturtechnik namens Physical Vapor Transport (PVT). Bei diesem Verfahren verwandelt sich Silizium- und Kohlenstoffpulver in Dampf und kühlt dann ab, um einen großen Kristall zu bilden, der als Boule bezeichnet wird.
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Produkteinführung
Produkteinführung
Siliziumkarbid-Substrate (SiC) bestehen aus einem sehr reinen Material, das Silizium und Kohlenstoff kombiniert. Der Produktionsprozess beginnt mit einer Hochtemperaturtechnik namens Physical Vapor Transport (PVT). Bei diesem Verfahren verwandelt sich Silizium- und Kohlenstoffpulver in Dampf und kühlt dann ab, um einen großen Kristall zu bilden, der als Boule bezeichnet wird.
Die Boule wird dann in dünne Scheiben, sogenannte Wafer, geschnitten und poliert, um sie glatt und reflektierend zu machen. Diese sorgfältige Produktion stellt sicher, dass jedes SiC-Substrat hohen Temperaturen standhält, Strom gut leitet und sehr stark ist. Diese Eigenschaften sind ideal für den Einsatz in Elektronik, die unter harten Bedingungen funktionieren muss, wie z. B. in Leistungsgeräten, Sensoren, die bei hohen Temperaturen arbeiten, und Systemen, die in rauen Umgebungen eingesetzt werden. Siliziumkarbid-Substrate tragen dazu bei, elektronische Geräte effizienter, langlebiger und leistungsfähiger zu machen.
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