Siliziumkristall-Züchter-Ausgangsstab

Siliziumkristall-Züchter-Ausgangsstab

Dieser Ausgangsstab für Siliziumkristallzüchter wird durch fortschrittliche CZ- oder FZ-Wachstumsprozesse hergestellt und bietet außergewöhnliche strukturelle Integrität und minimierte Kontamination. Es wurde für das nachgelagerte Waferschneiden und die Mikrofertigung entwickelt und bietet eine zuverlässige Substratgrundlage für MOSFETs, IGBTs, MEMS, photonische Schaltkreise und Leistungselektronik. Maßgeschneiderte Dotierungs-, Widerstands- und Reinheitsgrade gewährleisten die Kompatibilität mit verschiedenen Prozessabläufen.

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