200 mm Siliziumwafer
Unser Flaggschiffprodukt, die 200-mm-Siliziumwafer, wurde entwickelt, um den breiten Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Mit umfassenden Anpassungsmöglichkeiten für Durchmesser, Dicke und andere Parameter gewährleisten unsere Wafer Präzision und Leistung in einer Vielzahl fortschrittlicher Anwendungen.
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Produkteinführung
Produkteinführung
Unser Flaggschiffprodukt, die 200-mm-Siliziumwafer, wurde entwickelt, um den breiten Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Mit umfassenden Anpassungsmöglichkeiten für Durchmesser, Dicke und andere Parameter gewährleisten unsere Wafer Präzision und Leistung in einer Vielzahl fortschrittlicher Anwendungen.
Wichtige Spezifikationen
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Durchmesser |
200mm |
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Grad |
Prime / Test / Dummy |
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Wachstumsmethode |
CZ (Czochralski) / FZ (Float Zone) |
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Orientierung |
<100>, <111>, <110>, <511>, <311> |
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Typ/Dotierstoff |
P-Typ (Bor), N-Typ (Phosphor, Arsen, Antimon) |
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Dicke |
725 μm, 775 μm und kundenspezifische Dicken auf Anfrage erhältlich |
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Dickentoleranz |
Standard ± 25 μm; Maximale Fähigkeiten ± 5 μm |
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Widerstand |
0.001 bis 100 Ohm-cm |
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Oberflächenbeschaffenheit |
P/E (Poliert/Geätzt), P/P (Poliert/Poliert), E/E (Geätzt/Geätzt) |
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Gesamtdickenvariation (TTV) |
Standard < 10 μm; Fortgeschritten < 5 μm |
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Bogen/Kette |
Standard < 40 μm; Fortgeschritten < 20 μm |
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