Siliziumwafer mit hohem-Widerstand

Siliziumwafer mit hohem-Widerstand

Wafer mit hohem spezifischem Widerstand (bis zu Tausenden von Ω·cm) eignen sich ideal für die HF-Kommunikation, Antennensubstrate, mmWave-Technologie, wissenschaftliche Instrumente und die Herstellung von Fotodioden und sorgen für minimalen Signalverlust und reduzierte parasitäre Effekte.

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Produkteinführung

Siliziumwafer mit hohem-Widerstand

Wafer mit hohem spezifischem Widerstand (bis zu Tausenden von Ω·cm) eignen sich ideal für die HF-Kommunikation, Antennensubstrate, mmWave-Technologie, wissenschaftliche Instrumente und die Herstellung von Fotodioden und sorgen für minimalen Signalverlust und reduzierte parasitäre Effekte. Kunden können den Widerstandsbereich, die Dotierungsart (Bor, Phosphor, Arsen usw.) und die Kristallorientierung angeben, um präzise elektrische Leistungsziele zu erreichen.

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